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IRFI830	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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IRFI830G	文件：170.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=3.1A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI830G	文件：1.56994 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI830G	文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
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