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IRFF9230	文件：328.01 Kbytes Page：7 Pages	-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9230	文件：16.69 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8?,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：109.31 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：141.58 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-39) 200V,P-CHANNEL InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.These	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：135.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHM9230	文件：108.59 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHM9230	文件：201.26 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRHN9230	文件：120.23 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRHN9230	文件：46.06 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHNJ9230	文件：187.27 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHY9230CM	文件：114.97 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRHY9230CM	文件：127.17 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
ISL9230	文件：1.14664 Mbytes Page：20 Pages	HighPowerLi-IonChargerW/I-PathManagement	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細參數(shù)

型號：
IRFF9230
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 200V 4A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
200V SINGLE P-CHANNEL HI-REL MOSFET
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -200V 4A TO-205AF
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 4A, TO-205AF
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 4A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-4A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
800mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

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