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IRFD020	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compact,endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020	文件：238.94 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP 50Volt,0.10Ohm,1-WattHEXDIP HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedevicerugg	IRF International Rectifier	IRF
IRFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
IRFD020_V01	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compact,endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020PBF	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020PBF	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.71489 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETRPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	IRF International Rectifier	IRF
IRFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR020	文件：674.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
IRFR020	文件：321.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR020	文件：1.05947 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRFR020,SiHFR020) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020PBF	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR020PBF	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR020TR	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020TR	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFD020
功能描述：
MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRFD020	IR	2020+	DIP-4	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	IRFD020	IR	21+		6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFD020	IR	24+	DIP4	127	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	IRFD020	IR	9827		206	原裝正品長期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFD020	IR	05+	原廠原裝	4365	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFD020	IR	23+	DIP-4	8238		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFD020	INTEL	23+	DIP-4	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD020	IOR	24+	DIP-4P	201		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD020	IR	23+	DIP-4	3200	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFD020	IR	2020+	DIP	4300	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)

更多IRFD020供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 9:20:00

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