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IRFD9020	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin?multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020	文件：442.11 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET?TRANSISTORSPCHANNELHEXDIP? 1-WATTRATEDPOWERMOSFETsINA4-PIN,DUAL-IN-LINEPACKAGE	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9020	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020_V01	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020PBF	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin?multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020PBF	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020_17	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9020PBF	文件：265.55 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細參數(shù)

型號：
IRFD9020
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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更多IRFD9020供應(yīng)商更新時間2025-3-15 16:36:00

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