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IRFD020PBF	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020PBF	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.71489 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETRPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	IRF International Rectifier	IRF
IRFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR020	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR020	文件：674.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
IRFR020	文件：321.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR020	文件：1.05947 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRFR020,SiHFR020) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFD020PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFD020PBF	Vishay Siliconix	24+	4-HVMDIP	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFD020PBF	IR	24+	DIP-4	3072	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFD020PBF	VISHAY(威世)	23+	HVMDIP-4	9555	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD020PBF	VishayIR	24+	4-DIP	515		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD020PBF	VISHAY	23+	DIP2	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFD020PBF	IR	23+	DIP-4	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	IRFD020PBF	IR	17+	DIP-4	9700	只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
上海意淼電子科技有限公司	IRFD020PBF	ON	23+	NA	6500	全新原裝假一賠十	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFD020PBF	IR	22+23+	DIP-4	28360	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	IRFD020PBF	IR	24+	DIP-4	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)

更多IRFD020PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 19:09:00

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