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IRF840S	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840S	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840S	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirement ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840S	文件：145.74 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840S	文件：100.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
IRF840S	文件：1.53193 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF840S	文件：1.55834 Mbytes Page：7 Pages	Available in Tape and Reel	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF840S	文件：297.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840S_V01	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirement ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840SPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840SPBF	文件：689.31 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840STR	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRL	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRLPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRR	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840STRRPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840S_14	文件：100.52 Kbytes Page：4 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
IRF840SPBF	文件：198.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRLPBFA	文件：198.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRRPBFA	文件：198.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF840S
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	IRF840S	APEC	全新原裝	TO-263(S)	5000	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF840S	IR/VISHAY		TO-220	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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