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IXGH30N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFrequencyPowerInverters ?UPS

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3D1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 220W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGT30N60C3D1

GenX3600VIGBTwithDiode

High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFrequencyPowerInverters ?UPS

IXYS

IXYS Corporation

IXXH30N60C3D1

XPTTM600VIGBT

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IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH30N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 開關能量:

    270μJ(開),90μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    16ns/42ns

  • 測試條件:

    300V,20A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 220W TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGH30N60C3D1供應商 更新時間2025-1-25 14:14:00