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IXGT6N170A

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGT6N170A

High Voltage IGBTs

IXYS

IXYS Corporation

IXGT6N170AHV

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXBH6N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFET??MonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterruptible

IXYS

IXYS Corporation

IXBT6N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFET??MonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterruptible

IXYS

IXYS Corporation

IXGH6N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH6N170A

HighVoltageIGBT

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IXGR6N170A

HighVoltageIGBT

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IXGT6N170

HighVoltageIGBT

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXGT6N170A

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 7 V Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價
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23+
TO-268
10653
全新原裝
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23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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N/A
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1809+
TO-268
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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IXYS/艾賽斯
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TO-268
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
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60
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多IXGT6N170A供應商 更新時間2025-1-1 14:14:00

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