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IXGX72N60B3H1

GenX3 600V IGBT with Diode

GenX3?600VIGBTwithDiode MediumspeedlowVsatPTIGBTs5-40kHzswitching Features ?Optimizedforlowconductionandswitchinglosses ?SquareRBSOA ?Anti-parallelultrafastdiode ?Internationalstandardpackages Advantages ?Highpowerdensity ?Lowgatedriverequirement Applic

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IXGX72N60B3H1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGX72N60B3H1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 540W PLUS247

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IXGK72N60B3H1

GenX3600VIGBTwithDiode

GenX3?600VIGBTwithDiode MediumspeedlowVsatPTIGBTs5-40kHzswitching Features ?Optimizedforlowconductionandswitchinglosses ?SquareRBSOA ?Anti-parallelultrafastdiode ?Internationalstandardpackages Advantages ?Highpowerdensity ?Lowgatedriverequirement Applic

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IXGK72N60B3H1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXGR72N60B3H1

GenX3600VIGBTW/DiodeElectricallyIsolatedTab

GenX3?600VIGBTw/Diode(ElectricallyIsolatedTab) MediumSpeedLowVsatPTIGBTfor5-40kHzSwitching Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface OptimizedforLowConductionand SwitchingLosses ?2500V~ElectricalIsolation ?Squ

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGX72N60B3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，60A

  • 開關能量：

    1.4mJ（開），1mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    31ns/152ns

  • 測試條件：

    480V，50A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 540W PLUS247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實單
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IXYS/艾賽斯
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6000
原裝正品，支持實單
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS/艾賽斯
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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更多IXGX72N60B3H1供應商 更新時間2025-1-1 10:18:00

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