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IXTA5N60P	文件：299.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP5N60P	文件：294.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
JCS5N60B	文件：941.3 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical9pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS5N60C	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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JCS5N60CC-O-C-N-B	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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JCS5N60FC-O-F-N-B	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS5N60RB-O-R-N-B	文件：941.3 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical9pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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JCS5N60RC-O-R-N-B	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS5N60VB-O-V-N-B	文件：941.3 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical9pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS5N60VC-O-V-N-B	文件：1.09548 Mbytes Page：12 Pages	MAINCHARACTERISTICS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
KF5N60D	文件：409.37 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF5N60D	文件：1.07621 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF5N60F	文件：97.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=4.5A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF5N60I	文件：409.37 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTA5N60P
功能描述：
MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXTA5N60P	IXYS/艾賽斯	17+	TO-263	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTA5N60P	IXYS	24+	TO-263	8866		詢價(jià)
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更多IXTA5N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 14:00:00

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