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IXTH10P60

Standard Power MOSFET

PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?InternationalStandardPackages ?LowRDS(on)HDMOSTMProcess ?RuggedPolysiliconGateCellStructure ?AvalancheRated ?LowPackageInductance-EasytoDriveandtoProtect Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings

IXYS

IXYS Corporation

IXTH10P60

Power MOSFETs

PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?InternationalStandardPackages ?LowRDS(on)HDMOSTMProcess ?RuggedPolysiliconGateCellStructure ?AvalancheRated ?LowPackageInductance-EasytoDriveandtoProtect Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings

IXYS

IXYS Corporation

DAM10P60D

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DSB10P60PN

HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryPhaseleg

IXYS

IXYS Corporation

IFCM10P60GD

ControlIntegratedPOwerSystem

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXTT10P60

PowerMOSFETs

PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?InternationalStandardPackages ?LowRDS(on)HDMOSTMProcess ?RuggedPolysiliconGateCellStructure ?AvalancheRated ?LowPackageInductance-EasytoDriveandtoProtect Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings

IXYS

IXYS Corporation

S10P60PT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

CHENMKOchenmko

力勤股份有限公司

TK10P60W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK10P60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

V10P60P

Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTH10P60

  • 功能描述：

    MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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TO-247(IXTH)
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更多IXTH10P60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 17:56:00

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