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IXTH12N150

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

HighVoltagePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?MoldingEpoxiesWeetUL94V-0FlammabilityClassification ?FastIntrinsicDiode ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N150

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTT12N150

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

HighVoltagePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?MoldingEpoxiesWeetUL94V-0FlammabilityClassification ?FastIntrinsicDiode ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?

IXYS

IXYS Corporation

IXTT12N150HV

N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTH12N150

  • 功能描述：

    MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
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Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
7814
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多IXTH12N150供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 17:56:00

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