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IXGH30N60C3D1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IXGH30N60C3D1 |
| 參數屬性 | IXGH30N60C3D1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 60A 220W TO247 |
| 功能描述 | 600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
839.36 Kbytes |
| 頁面數量 |
4 頁 |
| 生產廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 23:00:00 |
IXGH30N60C3D1規(guī)格書詳情
IXGH30N60C3D1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXGH30N60C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號：
IXGH30N60C3D1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
GenX3?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
- 開關能量：
270μJ（開），90μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
16ns/42ns
- 測試條件：
300V，20A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 60A 220W TO247
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA/ |
1237 |
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IXYS |
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