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IXGP20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 40A 150W TO220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120A3	文件：241.79 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 1200V IGBTs Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B3	文件：218.53 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 1200V IGBT HighSpeedLowVsatPTIGBTs3-20kHzSwitching Features ●OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●InternationalStandardPackages Applications ●PowerInverters ●UPS ●MotorDrives ●SMPS ●PFCCircuits ●WeldingMachines ●InductiveHeating Advantages ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B	文件：586.46 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage IGBT with Diode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120BD1	文件：586.46 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage IGBT with Diode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 40A 190W TO220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 36A 180W TO220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGQ20N120B	文件：598.7 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	IGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MGW20N120	文件：231.25 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGW20N120	文件：139.29 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：171.79 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：254.76 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NGTB20N120IHLWG	文件：175.53 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120IHRWG	文件：182.67 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120IHSWG	文件：184.12 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120IHWG	文件：114.7 Kbytes Page：7 Pages	IGBT-InductionCooking	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120LWG	文件：178.19 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGP20N120
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
開關(guān)能量：
6.5mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
28ns/400ns
測試條件：
800V，20A，47 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 1200V 40A 150W TO220

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	IXGP20N120	IXYS/艾賽斯	24+	PDFN-5X6	30	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXGP20N120	IXYS	24+	TO-220	8866		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGP20N120	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXGP20N120	INFINEON/英飛凌	23+	TO-220	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGP20N120	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IXGP20N120	IXYS	1809+	TO-220	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGP20N120	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IXGP20N120	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGP20N120	IXYS	22+	TO220AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXGP20N120	IXYS	21+	TO220AB	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價

更多IXGP20N120供應(yīng)商更新時間2025-1-1 16:36:00

產(chǎn)品屬性

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