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IXGT20N120B

High Voltage IGBT

VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,

IXYS

IXYS Corporation

IXGT20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

IXYS

IXYS Corporation

MGW20N120

InsulatedGateBipolarTransistor

InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGW20N120

InsulatedGateBipolarTransistor

InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGY20N120D

InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGY20N120D

InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NGTB20N120IHLWG

Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHRWG

IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHSWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHWG

IGBT-InductionCooking

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXGT20N120B

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-268
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詢價(jià)
IXYS
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N/A
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IXYS
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TO-268
326
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IXYS
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NA
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
32322
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-268
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多IXGT20N120B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-23 15:30:00

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