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NGTB20N120IHLWG

Incorporated into the device is a rugged co??ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHLWG

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHRWG

IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHSWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120IHWG

IGBT-InductionCooking

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N120LWG

Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SCM20N120PCT

1200V/20mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCM20N120PS

1200V/20mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCT20N120

Veryhighoperatingtemperaturecapability

Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETisproducedexploitingtheadvanced,innovativepropertiesofwidebandgapmaterials.Thisresultsinunsurpassedon-resistanceperunitareaandverygoodswitchingperformancealmostindependentoftemperature.Theoutstandingthermalpropertiesof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SCT20N120AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189m廓(typ.,TJ=150?C),inanHiP247package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SCT20N120H

SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·EasytoParallelandSimpletoDrive ·AvalancheRuggedness APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageDC/DCConverters ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGH20N120RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGH20N120RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB20N120IHLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/235ns

  • 測試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NGTB20N120IHLWG供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 16:41:00

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