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IXGT10N170

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGT10N170

包裝：管件 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 20A 110W TO268

IXYS

IXYS Corporation

IXGT10N170A

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGT10N170A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 10A 140W TO268

IXYS

IXYS Corporation

IXBH10N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterrupt

IXYS

IXYS Corporation

IXBT10N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterrupt

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N170A

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXYH10N170C

HighVoltageXPTIGBT

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT10N170

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，10A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1700V 20A 110W TO268

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價
IXYS/艾賽斯
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IXYS
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IXYS
22+
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
更多IXGT10N170供應商 更新時間2025-1-1 14:14:00

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