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IXGH60N60

HIGH CURRENT MOSIGBT

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IXYS Corporation

IXGH60N60

Ultra-Low VCE(sat) IGBT

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 ?NewgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobot

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IXGH60N60

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 300W TO247AD

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IXGH60N60B2

Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto100KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-mo

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IXGH60N60C2

HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs

HiPerFAST?IGBTC2-ClassHighSpeedIGBTs Features VeryhighfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandresonant-modepowersuppl

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IXGH60N60C3

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXGH60N60C3D1

GenX3 600V IGBTs with Diode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

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IXGH60N60C3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGH60N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGH60N60C2

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 480W TO247AD

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IXGH60N60C3

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 380W TO247AD

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH60N60

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，60A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    8mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    50ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，60A，2.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 300W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXGH60N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 16:30:00

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