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IXGH20N60B

HiPerFAST IGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXGH20N60B

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGH20N60BD1

HiPerFAST IGBT with Diode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?HiPerFASTTMHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?Unin

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IXYS Corporation

IXGH20N60BD1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD

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IXGH20N60BU1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD

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IXGM20N60

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat

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IXGM20N60A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat

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IXYS Corporation

IXGP20N60B

HiPerFASTTMIGBT

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IXYS Corporation

IXGT20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

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IXKC20N60C

CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package

CoolMOS?PowerMOSFETinISOPLUS220?Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH20N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    150μJ（開），700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    15ns/150ns

  • 測試條件：

    480V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 150W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IXYS/艾賽斯
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價
IXYS
24+
TO-247
3
詢價
IXYS
05+
原廠原裝
4290
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
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IXYS
24+
TO-247
1298
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IXYS
1503+
TO-247
3000
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IXYS/艾賽斯
23+
TO247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS/艾賽斯
2022
TO247
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
更多IXGH20N60B供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 14:00:00

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