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IRF9410

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9410PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9410PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF9410PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

KI9410DY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=7A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

LA9410

FinalAudioOutputICforLDPlayers

Overview TheLA9410finalaudiooutputICforlaserdiskplayershasaninternalinputamplifierforthe1-bitDAC,40kHzLPF,digital/analogsignalselectcircuit,outputmute,volumecircuit,mixingamplifierandlimittercircuitforRFoutput,andvoltageregulatorforplusandminuspowersu

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

M9410

MODULARIN-GRADELUMINAIRESINGLELENS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商

MG9410

SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

MG9410-R

SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

MMJT9410

BipolarPowerTransistors

BipolarPowerTransistors NPNSilicon ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE =85(Min)@IC=1.0Adc =60(Min)@IC=3.0Adc ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat) =0.2Vdc(Max)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF9410

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
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8PIN-SOP
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只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
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24+
SOP-8
500733
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
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24+
SOP-8
6360
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
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IOR
2015+
SOP/DIP
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更多IRF9410供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 9:24:00

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