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IRF9Z14LPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14LPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14PBF	文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14PBF	文件：1.64611 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRF9Z14PBF	文件：257.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-60V,RDS(on)=0.50廓,ID=-6.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z14S	文件：361.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z14S	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14S	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) ?Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14SPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14SPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRL	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRLPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRLPBFA	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRRPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14G	文件：861.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14G	文件：184 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9Z14G	文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14GPBF	文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SFP9Z14	文件：252.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175°COperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.362?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFP9Z14	文件：281.33 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9Z14LPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF9Z14LPBF	Vishay Siliconix	24+	I2PAK	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF9Z14LPBF	VishayIR	24+	TO-262	1077		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF9Z14LPBF	IR	2016+	TO-262	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF9Z14LPBF	VISHAY	23+	TO262	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRF9Z14LPBF	IR	2020+	TO-262	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF9Z14LPBF	VISHAY	1809+	TO-262	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRF9Z14LPBF	VISHAY/威世	23+	TO-262	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF9Z14LPBF	IR	23+	TO-262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF9Z14LPBF	Vishay Siliconix	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRF9Z14LPBF	Vishay Siliconix	21+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)

更多IRF9Z14LPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-29 14:13:00

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