思思久久99热免费精品6,888影视网,亚洲国产精品一区久久av

首頁 >IRF9Z24NSPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF9Z24NSPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF_15	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSTRLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSTRR	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24PBF	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.50137 Mbytes Page：8 Pages	powermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24S	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24S	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24S	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRL	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRLPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRLPBFA	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRR	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRRPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24STRRPBFA	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
IRF9Z24NSPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金芯陽科技有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	15+	原廠原裝	3750	進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	24+	TO-263	14182	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市粵科源興科技有限公司	IRF9Z24NSPBF	DISCRETE	50	IR	3750		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF9Z24NSPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市宇集芯電子有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	24+	TO-263	90000	一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理	詢價
深圳兆威電子有限公司	IRF9Z24NSPBF	VB	2019	D2PAK	55000	絕對原裝正品假一罰十!	詢價
上海市鑫鴻達電子	IRF9Z24NSPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市百諾芯科技有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	23+	TO-263	2141	原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	IRF9Z24NSPBF	IR	21+	TO263	19000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價

更多IRF9Z24NSPBF供應商更新時間2024-10-24 14:06:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存