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IRFD014	文件：171.17 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.20ohm,Id=1.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD014	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD014	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD014	文件：2.58557 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD014	文件：868.89 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD014PBF	文件：2.10193 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD014PBF	文件：2.58557 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFD014PBF	文件：868.89 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.20ohm,Id=2.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?E	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.16ohm,Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount,FastSwitching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?Eas	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF014	IR	1415+	TO-252	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF014	IR	23+	SOT-251	6000	專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRF014	IR	23+		65480		詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	IRF014	IR	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF014	IR	22+	SOT-252	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF014	IR	23+	SOT-252	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF014	IR	23+	SOT-252	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF014	IR	23+	SOT-252	7000		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF014NTR	IR	24+	SOT-223	59		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IRF01BH120K	Vishay Dale	24+	軸向	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多IRF014供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 11:04:00

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