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IRF5803D2

FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)

VDSS=-40V RDS(on)=112m? SchottkyVf=0.51V Description TheFETKY?familyofCo-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoach

IRF

International Rectifier

IRF5803D2PBF

FETKY ?MOSFET & Schottky Diode

VDSS=-40V RDS(on)=112m? SchottkyVf=0.51V Description TheFETKY?familyofCo-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoach

IRF

International Rectifier

IRF5803D2PBF_15

Ideal For Buck Regulator Applications

IRF

International Rectifier

IRF5803D2TRPBF

Co-packaged HEXFET Power

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF5803D2

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    FETKY™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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SOP-8
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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SOP-8P
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SOP-8
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多IRF5803D2供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 17:06:00

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