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IRF1404S	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404S	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404S	文件：1.19651 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404S	文件：263.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1404SPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404SPBF	文件：3.89112 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperature	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404STRLPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404SPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404SPBF_15	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1404Z	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404Z	文件：2.53346 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=40V ●ID=75A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF1404ZGPBF	文件：291.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404ZL	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404ZL	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404ZL	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404ZLPBF	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1404S
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明盛嘉電子科技有限公司	IRF1404S	VISHAY/威世	21+	TO-263	5000	原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF1404S	IR	24+	TO-263	4	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF1404S	IR	24+	N/A	8000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF1404S	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	IRF1404S	INFINEON/英飛凌	23+	TO263-3	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF1404S	IR	06+	TO263	33000	全新原裝絕對(duì)有貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF1404S	IR	23+	TO-263	35890		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRF1404S	IR	16+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF1404S	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF1404S	IR	23+	TO263	8890	價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來(lái)電查詢	詢價(jià)

更多IRF1404S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 13:46:00

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