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IRF1503PBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisdesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fas

IRF

International Rectifier

IRF1503PBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF1503PBF_15

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF1503S

HEXFETPowerMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp

IRF

International Rectifier

IRF1503S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF1503SPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti

IRF

International Rectifier

IRF1503SPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1503SPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1503STRLPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRLMS1503

PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF1503PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRF1503PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 16:30:00

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