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IRF1404STRLPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1404Z	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404Z	文件：2.53346 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=40V ●ID=75A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF1404ZGPBF	文件：291.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRF1404ZL	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404ZL	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1404STRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRF1404STRLPBF	IR	23+	TO-263	20540	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF1404STRLPBF	IR	2020+	TO-263	9600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF1404STRLPBF	Infineon Technologies	24+	D2PAK	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF1404STRLPBF	IR/VISHAY		SOT263	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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更多IRF1404STRLPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 18:25:00

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