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IMSA110	文件：354.66 Kbytes Page：26 Pages	IMAGE AND SIGNAL PROCESSING SUB.SYSTEM .1-D/2-DSOFTWARECONFIGURABLECONVOLVER/FILTER .ON-CHIPPROGRAMMABLELINEDELAYS(0—1120STAGES) .8-BITDATAAND8.5-BITCOEFFICIENTSLICE .21MULTIPLY-AND-ACCUMULATESTAGES .1-D(21)OR2-D(3x7)CONVOLUTIONWINDOW .ON-CHIPPOSTPROCESSORFORDATATRANSFORMATION .FU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
IMSA110-G20S	文件：354.66 Kbytes Page：26 Pages	IMAGE AND SIGNAL PROCESSING SUB.SYSTEM .1-D/2-DSOFTWARECONFIGURABLECONVOLVER/FILTER .ON-CHIPPROGRAMMABLELINEDELAYS(0—1120STAGES) .8-BITDATAAND8.5-BITCOEFFICIENTSLICE .21MULTIPLY-AND-ACCUMULATESTAGES .1-D(21)OR2-D(3x7)CONVOLUTIONWINDOW .ON-CHIPPOSTPROCESSORFORDATATRANSFORMATION .FU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
INA110	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA110	文件：595.96 Kbytes Page：21 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
INA110AG	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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INA110BG	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA110KP	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA110KP	文件：595.96 Kbytes Page：21 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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IQCM-110	文件：239.39 Kbytes Page：4 Pages	OCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	Frequency1.0MHzto800.0MHz	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXV-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	VCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRFD110	文件：174.72 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110	文件：52.55 Kbytes Page：6 Pages	1A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD110	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°COperatingTemperature ?Fastswitchingandeaseofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IMSA110-G20S	ST	23+	PGA	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
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更多IMSA110供應(yīng)商更新時間2024-11-17 9:18:00

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