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INA110AG	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA110AG	文件：595.96 Kbytes Page：21 Pages	Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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INA110KP	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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INA110SG	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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IQCM-110	文件：239.39 Kbytes Page：4 Pages	OCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	Frequency1.0MHzto800.0MHz	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXV-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	VCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRFD110	文件：174.72 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110	文件：52.55 Kbytes Page：6 Pages	1A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD110	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°COperatingTemperature ?Fastswitchingandeaseofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110PBF	文件：1.78348 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110PBF	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFE110	文件：199.53 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
INA110AG
制造商：
Rochester Electronics LLC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	INA110AG	BURR-BROWN	23+	AUDIP	22800	原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨,誠信經(jīng)營,假一罰十	詢價
深圳權(quán)泰科技有限公司	INA110AG	TI	21+	CDIP	8080	原裝現(xiàn)貨實單必成只做原裝！	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	INA110AG	BB	24+	DIP	73		詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	INA110AG	AD	1430+	DIP	5800	全新原裝,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng),絕對正品	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	INA110AG	BB	23+	原廠原裝	1011	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	INA110AG	BB	2020+	DIP-16	12	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	INA110AG	BURR-BROWN	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價

更多INA110AG供應(yīng)商更新時間2024-11-15 10:16:00

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