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FQA9N90C	文件：680.52 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C	文件：342.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainCurrentID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max) ·100AvalancheTested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQA9N90C	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C	文件：2.27004 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
FQA9N90C-F109	文件：1.96537 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FQA9N90C_06	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C_07	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C_F109	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA9N90C_F109	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQAF9N90	文件：678.29 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP9N90C	文件：1.75557 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi8.0A,900VPlanarN-ChannelPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
FQP9N90C	文件：1.12742 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET900V,8.0A,1.4Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP9N90C	文件：842.04 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP9N90C	文件：296.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQPF9N90C	文件：1.75557 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi8.0A,900VPlanarN-ChannelPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
FQPF9N90C	文件：842.04 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF9N90C	文件：276.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQPF9N90C	文件：1.12742 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET900V,8.0A,1.4Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF9N90CT	文件：1.12742 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET900V,8.0A,1.4Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
FQA9N90C
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	FQA9N90C		24+	模塊	6000	美國德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內地現(xiàn)	詢價
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深圳市珩瑞科技有限公司	FQA9N90C	FAIRCHILD/仙童	21+		6000	原裝正品	詢價

更多FQA9N90C供應商更新時間2024-10-22 15:08:00

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