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FQB7N60TM	文件：771.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB7N60TMWS	文件：771.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI7N60	文件：591.64 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI7N60	文件：771.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET800V,3.9A,3.6廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI7N60TU	文件：771.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET800V,3.9A,3.6廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP7N60	文件：581.16 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP7N60	文件：124.93 Kbytes Page：9 Pages	TheUseofQFETsinaFlybackConverter Introduction Powersupplydesignersfacemanychallengesindesigningmoreefficientandcost-effectivepowersupplies.Efficiencyisamajorconsiderationindesigningswitchingpowersupplies.Manyfactorsinthedesignprocesssuchastheinputfiltercapacitance,transformercoregeometryand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP7N60	文件：296.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF7N60	文件：604.16 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF7N60	文件：780.44 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperform	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQPF7N60	文件：278.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF7N60C	文件：888.3 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FTK7N60DD	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK7N60F	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60F	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60P	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60P	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60PD	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G7N60C	文件：144.51 Kbytes Page：7 Pages	14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs TheHGTD7N60C3SandHGTP7N60C3areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvar	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FQB7N60TM
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQB7N60TM	onsemi	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	FQB7N60TM	FSC	2020+	TO-263	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	FQB7N60TM	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-263	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	FQB7N60TM	FAIRCHILD/仙童	24+	TO263	138	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FQB7N60TM	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO-263	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	FQB7N60TM	ON/安森美	24+	TO-263	505348	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市中福國際管理有限公司	FQB7N60TM	ONSEMI/安森美	23+	TO-263-2	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQB7N60TM	FAIRCHILD	24+	TO-263	30000		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	FQB7N60TM	FSC	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	FQB7N60TM	ONSemiconductor	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)

更多FQB7N60TM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 14:14:00

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