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FQB8P10TM	文件：1.23782 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET? MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD8P10	文件：662.37 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD8P10	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET?MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD8P10TF	文件：551.59 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFETMOSFET-100V,-6.6A,530m GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD8P10TM	文件：699.9 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-100V,ID=-13A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQD8P10TM	文件：645.51 Kbytes Page：7 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI8P10	文件：667.16 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP8P10	文件：372.01 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.53Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP8P10	文件：662.86 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF8P10	文件：667.32 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU8P10	文件：662.37 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU8P10	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET?MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU8P10TU	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET?MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSM8P10	文件：1.75714 Mbytes Page：6 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD8P10	文件：1.61675 Mbytes Page：6 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU8P10	文件：645.11 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTM8P10	文件：383.29 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs8AMPERES rDS(on)=0.4OHM80and100VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM8P10	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP8P10	文件：289.32 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP8P10	文件：938.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
FQB8P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	FQB8P10TM	onsemi	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	FQB8P10TM	FAIRCHILD/仙童	24+	TO263	93	原廠授權(quán)代理價格絕對優(yōu)勢	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQB8P10TM	onsemi(安森美)	23+	D2PAK	8357	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市宏譽半導體有限公司	FQB8P10TM	ON	22+	TO-263	1600	全新原裝	詢價
深圳市芯皇電子有限公司	FQB8P10TM	ON/安森美	SMD	23+	6000	專業(yè)配單原裝正品假一罰十	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	FQB8P10TM	ONSEMI/安森美	23+	TO-263-2	360000	專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	FQB8P10TM	FSC	2016+	TO263	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
深圳市華來深電子有限公司	FQB8P10TM	FSC	23+	TO-263	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	FQB8P10TM	FSC	22+23+	TO-263	28516	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQB8P10TM	FSC	1844+	TO-263	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!	詢價

更多FQB8P10TM供應商更新時間2025-1-1 14:14:00

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