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FQB19N20LTM	文件：868.47 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 200 V, 21 A, 140 m廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI19N20	文件：808.16 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI19N20	文件：723.58 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI19N20C	文件：876.65 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI19N20L	文件：749.74 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN_ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP19N20	文件：302.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP19N20	文件：705.94 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP19N20C	文件：1.1444 Mbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP19N20L	文件：734.59 Kbytes Page：8 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF19N20	文件：691.68 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF19N20	文件：278.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF19N20C	文件：319.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.17Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF19N20C	文件：1.1444 Mbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF19N20L	文件：712.91 Kbytes Page：8 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF19N20L	文件：319.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
JCS19N20	文件：1.73369 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS19N20C-O-C-N-B	文件：1.73369 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS19N20F-O-F-N-B	文件：1.73369 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
KF19N20D	文件：564.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=200V,ID=15A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF19N20F	文件：549.42 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=200V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQB19N20LTM
功能描述：
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQB19N20LTM	onsemi	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	FQB19N20LTM	FAIRCHILD/仙童	24+	D2PAK-3TO-263-2	3580	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司	FQB19N20LTM	ONSEMI	18+ROHS	NA	5200	全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫存熱賣中!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQB19N20LTM	onsemi(安森美)	23+	D2PAK-3	8357	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	FQB19N20LTM	ON/安森美	2410+		80000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	FQB19N20LTM	ONSEMI/安森美	23+	TO-263-2	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQB19N20LTM	Fairchild	24+	TO-263	7500		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQB19N20LTM	FAIRCHILD	2016+	TO-263	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQB19N20LTM	FAIRCHILD	06+	原廠原裝	4802	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	FQB19N20LTM	FAIRCHILD	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多FQB19N20LTM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 14:14:00

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