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SPP04N60C3

Cool MOS Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP04N60C3

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP04N60C3

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP04N60C3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP04N60C3_09

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPS04N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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SPS04N60C3

CoolMOSPowerTransistor

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SPS04N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompounda) ?Qualif

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SPU04N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance

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SPU04N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTo-251(IPAK)package ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIO

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CoolMOSPowerTransistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPP04N60C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
+ROHS全新原裝
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正納電子優(yōu)勢原裝特價長期供應(yīng)元器件代理分銷
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原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56
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16年電子元件現(xiàn)貨供應(yīng)商 終端BOM表可配單提供樣品
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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全新原裝優(yōu)勢
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