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SPP07N60C3_07	文件：1.30229 Mbytes Page：15 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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07N60C3	文件：2.12298 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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ISPP07N60C3	文件：339.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SPP07N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 7.3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	SPP07N60C3	INFINEON/英飛凌	24+	TO220	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市興燦科技有限公司	SPP07N60C3	INFINEON	24+	TO-220	2000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市明盛嘉電子科技有限公司	SPP07N60C3	INFINEON/英飛凌	21+	TO220	50000	原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPP07N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	46048	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。	詢價
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更多SPP07N60C3供應(yīng)商更新時間2024-12-27 16:36:00

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