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IXFR20N120	文件：330.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=630mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR20N120P	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX20N120	文件：367.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX20N120	文件：574.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N120	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	IGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B	文件：586.46 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGQ20N120B	文件：598.7 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	IGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MGW20N120	文件：231.25 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGW20N120	文件：139.29 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：171.79 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：254.76 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NGTB20N120IHLWG	文件：175.53 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120IHRWG	文件：182.67 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB20N120IHSWG	文件：184.12 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFR20N120
功能描述：
MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFR20N120P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢(xún)價(jià)
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