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IXFT15N100Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowIntrinsicGateResistance ?InternationalStandardPackages ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applic

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N100Q3

HiperFETTMPowerMOSFETsQ3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowIntrinsicGateResistance ?InternationalStandardPackages ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applic

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N100Q3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFR15N100Q3

AdvanceTechnicalInformation

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFT15N100Q3

  • 功能描述：

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-268AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268S
56230
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
 詢價
IXYS
1931+
N/A
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IXYS
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326
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
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IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS
23+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原裝正品，支持實單
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更多IXFT15N100Q3供應(yīng)商 更新時間2024-10-27 14:14:00

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