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IXFT18N100Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowIntrinsicGateResistance ?InternationalStandardPackages ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applic

IXYS

IXYS Corporation

IXFH18N100Q3

HiperFETTMPowerMOSFETsQ3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowIntrinsicGateResistance ?InternationalStandardPackages ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applic

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFT18N100Q3

  • 功能描述：

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-268AA
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190
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公司只做原裝正品
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實單
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原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXFT18N100Q3供應商 更新時間2024-10-26 14:14:00

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