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IXFX230N20T

GigaMOS Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK230N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=230A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ,Typ. ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK230N20T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN230N20T

GigaMOSPowerMOSFET

GigaMOSPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?Isolationvoltage2500V~ ?HighCurrentHandlingCapability ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowRDS(o

IXYS

IXYS Corporation

IXFR230N20T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFX230N20T

  • 功能描述：

    MOSFET 230A 200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXFX230N20T供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 10:21:00

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