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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IXFR12N100	文件：309 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR12N100F	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?F-Class:MegaHertzSwitching(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?UnclampedInductiveSw	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR12N100Q	文件：33.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?QCLASS(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR12N100Q	文件：160.52 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q CLASS HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?QCLASS(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100	文件：556.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackage ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?FastintrinsicRectifier Applications ?DC-DCconverters ?Synchronou	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100F	文件：99.7 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs VDSS=1000V ID25=12A RDS(on)≤1.05Ω trr≤250ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Low IntrinsicRg,HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100F	文件：112.65 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100Q	文件：146.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQClass Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Advantages ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100QHV	文件：205.72 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltagePowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV12N100P	文件：181.15 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFETs PolarTMHiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowRDS(on)andQG ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV12N100PS	文件：181.15 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFETs PolarTMHiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowRDS(on)andQG ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA12N100	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA12N100A	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH12N100	文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Voltageratingguaranteedathightemperature(125C) Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP12N100	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP12N100A	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N100	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N100	文件：367.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH12N100L	文件：377.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH12N100L	文件：153.46 Kbytes Page：5 Pages	LinearTMPowerMOSFETw/ExtendedFBSOA Linear?PowerMOSFETw/ExtendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?InternationalStandardPackage ?DesignedforLinearOperation ?AvalancheRated ?MoldingEpoxyMeetsUL94V-0 FlammabilityClassification Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?High	IXYS IXYS Corporation	IXYS

12 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFR12N100
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HiPerFET™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	IXFR12N100	IXYS	1503+	TO-247	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFR12N100	IXYS/艾賽斯	23+	ISOPLUS247	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFR12N100	IXYS	22+	ISOPLUS247?	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXFR12N100	IXYS	21+	ISOPLUS247?	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXFR12N100	IXYS/艾賽斯	23+	ISOPLUS247	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXFR12N100	IXYS	2022+	ISOPLUS247?	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IXFR12N100	IXYS/艾賽斯	22+	ISOPLUS247	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXFR12N100	IXYS	24+	ISOPLUS247	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFR12N100Q	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXFR12N100Q	IXYS	24+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時(shí)可以發(fā)貨	詢價(jià)

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