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IXGP12N100

IGBT

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100A

IGBT

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper

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IXYS Corporation

IXGP12N100AU1

IGBT - Combi Pack

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?IGBTwithantiparallelFREDinonepackage ?SecondgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100U1

IGBT - Combi Pack

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?IGBTwithantiparallelFREDinonepackage ?SecondgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100A

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100AU1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N100

MegaMOSFET

N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH12N100L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGP12N100

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    2.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    100ns/850ns

  • 測試條件：

    800V，12A，120 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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公司只售原裝,支持實單
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TO-220AB
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXGP12N100供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 9:02:00

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