首頁 >NE3514S02-T1D-A>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
NE3514S02-T1D-A | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
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KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL |
詳細參數(shù)
- 型號:
NE3514S02-T1D-A
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC/REN |
21+ |
SMT-86 |
9856 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
1006+ |
SMD |
28895 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMD |
33650 |
所有報價以當(dāng)天為準(zhǔn) |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMD |
18500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
BGA |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
NEC |
21+ |
SMD |
10000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價格優(yōu) |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SMD |
2750 |
只做原裝公司現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SMD |
3800 |
只做原裝,價格優(yōu)惠,長期供貨。 |
詢價 |
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