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NE3514S02-T1C-A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3514S02-T1C-A
廠商型號

NE3514S02-T1C-A

參數(shù)屬性

NE3514S02-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET NCH 10DB S02

功能描述

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
HJ-FET NCH 10DB S02

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

269.67 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-22 10:17:00

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NE3514S02-T1C-A規(guī)格書詳情

NE3514S02-T1C-A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3514S02-T1C-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3514S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    10dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.75dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 10DB S02

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