NE3514S02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NE3514S02 |
| 參數(shù)屬性 | NE3514S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
285.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-3 23:01:00 |
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NE3514S02規(guī)格書詳情
NE3514S02屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3514S02晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數(shù)：
0.75dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
350 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
24+ |
SMD |
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RENESAS/瑞薩 |
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NEC |
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CEL |
23+ |
原廠原包 |
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只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SMD |
65800 |
詢價(jià) | |||
RENESAS |
21+ |
SMT86 |
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詢價(jià) | ||
N/A |
NA |
188 |
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CEL |
24+ |
SMD |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) |
