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NE3515S02-T1D-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D-A

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3515S02-T1C-A

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C-A

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3515S02-T1D-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 額定電流（安培）：

    88mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.3dB

  • 功率 - 輸出：

    14dBm

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
23+
SO2
8188
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價
RENESAS
23+
SO2
12456
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價
NEC
2023+
SMD
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
CEL
2022+
S02
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
RENESAS
24+
SO2
5000
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
RENESAS
SO2
893993
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
RENESAS
1623
SO2
1140
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
RENESAS
24+
SO2
5000
十年沉淀唯有原裝
 詢價
RENESAS
23+
SO2
20000
詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
20+
S02
2000
詢價
更多NE3515S02-T1D-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 23:00:00

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