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NE3515S02-T1D

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3515S02-T1D-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D-A

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3515S02-T1C-A

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C-A

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NE3515S02-T1D

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
2023+
SMD
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
CEL
2022+
S02
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價
RENESAS
24+
SO2
5000
一級代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
RENESAS
SO2
893993
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
RENESAS
1623
SO2
1140
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
RENESAS
24+
SO2
5000
十年沉淀唯有原裝
 詢價
RENESAS
23+
SO2
20000
詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
20+
S02
2000
詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
S02
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價
RENESAS
2023+
SO2
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
更多NE3515S02-T1D供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 13:30:00

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