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IXGT50N60B	文件：182.8 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBT ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersuppli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT50N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 75A 300W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT50N60B2	文件：585.66 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs B2-ClassHighSpeedIGBTs Features ●HighfrequencyIGBT ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandresonant-mode powersupplies ●ACmotorspeedcontrol ●DCse	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT50N60B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 75A 400W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXRH50N60	文件：46.75 Kbytes Page：2 Pages	IGBTwithReverseBlockingcapability Features ●IGBTwithNPT(nonpunchthrough)structure ●reverseblockingcapabilityindependentfromgatevoltage -functionofseriesdiodemonolithicallyintegrated -noexternalseriesdioderequired -softreverserecovery ●positivetemperaturecoefficientofsaturationvolta	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH50N60B	文件：75.21 Kbytes Page：4 Pages	ShortCircuitSOACapability IGBTHighSpeed ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD,andTO-247SMDforsurfacemount ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?HighfrequencyIGBT ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconducti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGF50N60KDA	文件：1.55858 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT50N60KDA	文件：576.12 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG50N60FLWG	文件：170.49 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
RM50N60DF	文件：228.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60DFV	文件：1.51858 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60IP	文件：484.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LDV	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGT50N60B
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
HiPerFAST?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
開關(guān)能量：
3mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
50ns/150ns
測試條件：
480V，50A，2.7 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 75A 300W TO268

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS	22+	TO268	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS	21+	TO268	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXGT50N60B	IXYS	23+	TO268	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS	2022+	TO-268	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXGT50N60B	IXYS	24+	TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXGT50N60B2		24+		8866		詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGT50N60B2	IXYS	2020+	TO-268	16800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳兆威電子有限公司	IXGT50N60B2	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268	90000	只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持	詢價

更多IXGT50N60B供應(yīng)商更新時間2024-11-2 9:02:00

產(chǎn)品屬性

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