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IXGX64N60B3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

MediumspeedlowVsatPT IGBTs5-40kHzswitching Features ?Optimizedforlowconductionand switchinglosses ?SquareRBSOA ?Anti-parallelultrafastdiode ?Internationalstandardpackages Advantages ?Highpowerdensity ?Lowgatedriverequirement Applications ?PowerInverter

IXYS

IXYS Corporation

IXGX64N60B3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXYS Corporation

IXGX64N60B3D1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 460W PLUS247

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600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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GenX3600VIGBTwithDiode

MediumspeedlowVsatPT IGBTs5-40kHzswitching Features ?Optimizedforlowconductionand switchinglosses ?SquareRBSOA ?Anti-parallelultrafastdiode ?Internationalstandardpackages Advantages ?Highpowerdensity ?Lowgatedriverequirement Applications ?PowerInverter

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGX64N60B3D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.5mJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/138ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，50A，3 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 600V 460W PLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGX64N60B3D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 10:18:00

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