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NGTG50N60FWG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTG50N60FWG
廠商型號

NGTG50N60FWG

參數(shù)屬性

NGTG50N60FWG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 100A 223W TO247

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT 600V 100A 223W TO247

文件大小

176.19 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-1 23:00:00

NGTG50N60FWG規(guī)格書詳情

NGTG50N60FWG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGTG50N60FWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTG50N60FWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    1.1mJ(開),1.2mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    117ns/285ns

  • 測試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 100A 223W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
23+
NA/
7350
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
詢價
ON/安森美
23+
NA/
148
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
PTIF
P
SCP0000001
26
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務
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ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ON Semiconductor
23+
TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價
ON
20+
TO-247
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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PTIF
2023+
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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ON/安森美
23+
28000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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