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IRLI530G

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530G

Logic-LevelGateDrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530GPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI530NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRLS530

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLI530ATU

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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75300
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TO220F
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TO-220F
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多IRLI530ATU供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 14:30:00

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